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2SA1298	文件：858.48 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierApplication ●PowerSwithingApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SA1298	文件：83.95 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor -0.8A,-35VPNPSiliconPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •LowFrequencyPowerAmplifierApplication •PowerSwitchingApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA1298	文件：301.9 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierApplication ●PowerSwithingApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SA1298	文件：37.21 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPEpitaxial ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.8A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-30V ●LowFrequencyPowerAmplifierApplication ●PowerSwithingApplications ●Complementaryto2SC3265	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SA1298	文件：311.86 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifierApplicationPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：131.59 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS) LowFrequencyPowerAmplifierApplication PowerSwitchingApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to320 •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=−0.4V(max)(IC=−500mA,IB=−20mA) •Suitablefordriverstageofsmallmotor •Complementaryto2SC3265 •Smallpackage	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SA1298	文件：1.65953 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierApplication PowerSwithingApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SA1298	文件：600.12 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.8A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-30V ●LowFrequencyPowerAmplifierApplication ●PowerSwithingApplications ●Complementaryto2SC3265	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1298-O	文件：600.12 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.8A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-30V ●LowFrequencyPowerAmplifierApplication ●PowerSwithingApplications ●Complementaryto2SC3265	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SA1298-O	文件：395.84 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Powerswitchingapplication •Lowfrequencypoweramplifierapplication •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
2SA1298-O(F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
PNP
功能描述：
PNP Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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