2SA1242分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
2SA1242 |
参数属性 | 2SA1242 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD |
功能描述 | isc Silicon PNP Power Transistor |
封装外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
文件大小 |
266.67 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
原厂标识 | ISC |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
人工找货 | 2SA1242价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1242规格书详情
DESCRIPTION
• hFE=100-320(IC= -0.5A; VCE= -2V)
• hFE=70(Min)(IC= -4A; VCE= -2V)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0V(Max)( IC= -4A; IB= -0.1A)
•·High Power Dissipation- : PC= 10W@TC=25℃ ,PC= 10W@Ta=25℃
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
• For medium power amplifier and strobe flash applications.
产品属性
- 产品编号:
2SA1242-Y(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 100mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
160 @ 500mA,2V
- 频率 - 跃迁:
170MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
PW-MOLD
- 描述:
TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
95 |
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询价 | ||
CJ |
20+ |
TO252 |
32970 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT-252 |
3000 |
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25+ |
TO-251 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOT252 |
100000 |
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2511 |
TO-252 |
360000 |
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24+ |
TO252 |
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TOSHIBA |
24+/25+ |
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CJ |
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TO252 |
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TOSHIBA/东芝 |
1942+ |
TO-252 |
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