2SA1162S-Y, LF(D_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
2SA1162S-Y, LF(D
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-7-31 15:01:00

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原厂料号：2SA1162S-Y, LF(D品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

2SA1162S-Y, LF(D是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的2SA1162S-Y, LF(D晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2sa1162s-y,%20lf(d
规格书：
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资料说明：
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SA1162S-Y, LF(D
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

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2SA1162S-Y, LF(D_分立半导体产品 晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

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