选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
共有2条记录
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2PS16012E34G30871中文资料Alldatasheet PDF
更多2PS16012E34G30871功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: