2N7002KDW中文资料虹扬科技数据手册PDF规格书

厂商型号	2N7002KDW
功能描述	60V ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
文件大小	256.12 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	HY
中文名称	虹扬科技
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更新时间	2025-10-11 23:00:00
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RDS(ON), VGS@10V, IDS@500mA=2Ω

RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@200mA=3Ω

FEATURES

• Advanced Trench Process Technology

• Ultra Low On Resistance : 2Ω

• Fast Switching Speed : 20ns

• Low Input and Output Leakage Current

• 2KV ESD Protection

• Specially Designed for High Speed Circuit, Battery Operated System, Drivers : Lamps, Transistors, Relays, Memories, Display, etc..

• Compliant to EU RoHS Directive 2002/95/EC

MECHANIALDATA

• Case : SOT-363 Molded Plastic

• Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Marking : 702

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