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2N7002K-T1-E3规格书详情
DESCRIPTION
The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 10-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage.
CHARACTERISTICS
• N-Channel Vertical DMOS
• Macro Model (Subcircuit Model)
• Level 3 MOS
• Apply for both Linear and Switching Application
• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range
• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery Characteristics
产品属性
- 型号：
2N7002K-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 60V 0.3A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
8962 |
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询价 | ||
Vishay(威世) |
24+ |
SOT233 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT23 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 | ||||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23 |
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VISHAY |
24+ |
SOT23 |
20000 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
18+ |
SOT-23 |
132000 |
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询价 | ||
SILICONIX |
24+ |
SOT-23 |
6010 |
只做原装正品 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-3 |
45000 |
热卖优势现货 |
询价 |
