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2N699分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N699

参数属性

2N699 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V TO39

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

204.06 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

CDIL

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更新时间

2026-1-18 11:52:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N699(A,B)

  • 别名:

    2N699三极管、2N699晶体管、2N699晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC300,BSS42,BSS43,BSV84,BSW67,BSW68,BSX47,2N2405,2N3498,3DG84E,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    120

  • htest:

    100000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

产品属性

  • 产品编号:

    2N699 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    5V @ 15mA,150mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    2µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    50MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    TRANS NPN 80V TO39

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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