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2N6693分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6693
厂商型号

2N6693

参数属性

2N6693 封装/外壳为TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

文件大小

70.3 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
MICROSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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2N6693规格书详情

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/538

产品属性

  • 产品编号:

    2N6693

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/538

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 3A,15A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 1A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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