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2N651中文资料Trans GP BJT PNP 0.5A数据手册NJS规格书

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厂商型号

2N651

参数属性

2N651 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT PNP 0.5A

封装外壳

TO-204AA,TO-3

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-25 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N651

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :200mW

  • Maximum Operating Temperature

    :100°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :30V

  • Maximum DC Collector Current

    :0.5A

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.25@1.67A@50mA|0.5@3.33mA@100mAV

  • Maximum Collector Base Voltage

    :45V

  • Material

    :Ge

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Small Signal

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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