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2N6385分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N6385

参数属性

2N6385 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA

功能描述

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

210.74 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

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数据手册

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更新时间

2026-1-21 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N6385

  • 别名:

    2N6385三极管、2N6385晶体管、2N6385晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >20MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDV67A,BDW83B,BDX65A,BDX83B,BDX85B,MJ3001,TIP141,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    20000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

2N6385规格书详情

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

产品属性

  • 产品编号:

    2N6385

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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