2N6317分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N6317三极管、2N6317晶体管、2N6317晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
7A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD544A,BD608,BD798,BD808,2N5954,2N5955,3CD8C,
- 最大耗散功率：
90W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-8
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
7
- wtest：
90
2N6317规格书详情
2N6317属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美国中央半导体制造生产的2N6317晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Power Transistors TO-66 Case
产品属性
更多- 产品编号：
2N6317
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 1.75A，7A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
35 @ 500mA，4V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 供应商器件封装：
TO-66
- 描述：
TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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