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2N6123分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N6123
厂商型号

2N6123

参数属性

2N6123 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 80V 4A TO220-3

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 80V 4A TO220-3

文件大小

71.78 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 17:32:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N6123

  • 别名:

    2N6123三极管、2N6123晶体管、2N6123晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >2.5MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD243B,BD537,BD539B,BD599,BD609,BD951,3DD64C,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    2500100

  • atest:

    4

  • wtest:

    40

2N6123规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5294, 5296 and 5298 types are silicon NPN transistors that are manufactured by the epitaxial base process and designed for applications that require power amplifier and medium switching capablilites.

2N6123属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。美国中央半导体制造生产的2N6123晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    2N6123 PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.4V @ 1A,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 1.5A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    2.5MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 4A TO220-3

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