2N6045分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2N6045 |
参数属性 | 2N6045 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220 |
功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
文件大小 |
174.34 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-4-28 18:26:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N6045三极管、2N6045晶体管、2N6045晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
8A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD649,BD701,BD901,BDW73C,BDX53C,FH7D,
- 最大耗散功率:
75W
- 放大倍数:
β>1000
- 图片代号:
B-45
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
75
2N6045规格书详情
Plastic medium−power complementary silicon transistors are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
Features
• High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 100 mAdc −
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − 2N6040, 2N6043
= 100 Vdc (Min) − 2N6042, 2N6045
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 4.0 Adc − 2N6043,44
= 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc − 2N6042, 2N6045
• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistors
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
2N6045属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N6045晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号:
2N6045
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2V @ 12mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 3A,4V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-220 |
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