2N5875分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5875 |
| 参数属性 | 2N5875 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
300.72 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N5875价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5875三极管、2N5875晶体管、2N5875晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
>4MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD250A,BD312,BD546A,BDW22A,2N3789,2N5879,2N5880,2N6246,3CK015C,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
60
- htest：
4000100
- atest：
10
- wtest：
150
2N5875规格书详情
COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS
... designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
● Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
● Low Leakage Current -
ICEX = 0.5 mAdc (Max) @ Rated Voltage
● Excellent DC Current Gain -
hFE = 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
● High Current Gain - Bandwidth Product -
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 0.5 A
产品属性
- 产品编号：
2N5875
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
TO-3 |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
询价 | ||
TI |
25+ |
TO-3 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
2026+ |
TO-3 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
2N5875 |
25+ |
31 |
31 |
询价 | |||
ST |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
MICGR0CHI |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
CENTRAL |
2450+ |
TO-3 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ST |
23+ |
原厂原封 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
MOT |
24+ |
TO-3 |
10000 |
询价 | |||
MICROCHIP |
23+ |
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专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
