2N5794分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N5794 |
| 参数属性 | 2N5794 封装/外壳为TO-78-6 金属罐；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6 |
| 功能描述 | Dual Transistors |
| 封装外壳 | TO-78-6 金属罐 |
| 文件大小 |
52.73 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | CENTRAL |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 23:00:00 |
| 人工找货 | 2N5794价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5794三极管、2N5794晶体管、2N5794晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
差分放大器射极输出 （Dual）_开关管 （S）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
75V
- 最大电流允许值：
0.6A
- 最大工作频率：
>250MHZ
- 引脚数：
6
- 可代换的型号：
BFX10,2N3409,2N3410,2N3411,2N3728,2N3729,
- 最大耗散功率：
0.6W
- 放大倍数：
- 图片代号：
D-52
- vtest：
75
- htest：
250000100
- atest：
0.6
- wtest：
0.6
2N5794规格书详情
2N5794属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列。由美国中央半导体制造生产的2N5794晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
Dual Transistors PD@ TA=25°C=600mW Total (Both Die Equal Power)
产品属性
更多- 产品编号：
2N5794
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
600mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
40V
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 功率 - 最大值：
600mW
- 频率 - 跃迁：
250MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-78-6 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-78-6
- 描述：
TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
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