2N5667中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
2N5667 |
| 参数属性 | 2N5667 封装/外壳为TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 300V 5A TO5 |
| 功能描述 | SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
73.08 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-15 17:53:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N5667三极管、2N5667晶体管、2N5667晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
400V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
>20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BUX51,BUX54,BUX61,BUY61,2SD625,3DK305A,
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-62
- vtest：
400
- htest：
20000100
- atest：
3
- wtest：
15
2N5667规格书详情
SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS
产品属性
- 产品编号：
2N5667
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 1A，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
200nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AA，TO-5-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-5
- 描述：
TRANS NPN 300V 5A TO5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CHINA |
22+ |
TO-3 |
640 |
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