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2N5666中文资料PDF规格书

2N5666
厂商型号

2N5666

参数属性

2N5666 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 200V 5A TO5

功能描述

SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

文件大小

73.08 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 11:36:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N5666

  • 别名:

    2N5666三极管、2N5666晶体管、2N5666晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    250V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    >20MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BUX51,BUX52,BUX53,BUX54,BUX61,BUY61,2SD625,3DK205E,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    250

  • htest:

    20000100

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

2N5666规格书详情

SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS

产品属性

  • 产品编号:

    2N5666

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    200nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 1A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 5A TO5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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