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2N5609分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N5609
厂商型号

2N5609

参数属性

2N5609 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

131.77 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.
企业简称

JMNIC锦美电子

中文名称

泉州锦美电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 11:10:00

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2N5609规格书详情

DESCRIPTION

• With TO-66 package

• Excellent safe operating area

• Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

• For general-purpose amplifier ; and switching applications

产品属性

  • 产品编号:

    2N5609

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 250µA, 2.5mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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