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厂商型号

2N5551CN

功能描述

NPN Silicon Transistor

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252.17 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AUK

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更新时间

2025-11-28 20:00:00

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2N5551CN规格书详情

Descriptions

• General purpose amplifier

• High voltage application

特性 Features

• High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V

• Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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