2N5551BU 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
2N5551BU
产品分类：
芯片
生产厂商：
ONSEMI
库存数量：
10000
产品封装：
N/A
生产批号：
24+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-4 15:50:00

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详细信息
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原厂料号：2N5551BU品牌：ONSEMI

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2N5551BU是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ONSEMI/onsemi生产封装N/A/TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）的2N5551BU晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2N5551BU
规格书：
下载下载2
企业简称：
FAIRCHILD【仙童半导体】详情
厂商全称：
Fairchild Semiconductor
中文名称：
飞兆/仙童半导体公司
内容页数：
9 页
文件大小：
216.64 kb
资料说明：
NPN General-Purpose Amplifier

产品属性

类型
描述
产品编号：
2N5551BU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 10mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

供应商

企业：
深圳市华康联电子科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
高先生
手机：
15112166916
询价：
电话：
0755-82549426
传真：
0755-82951490
地址：
深圳市福田区华强北街道赛格广场3210B

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2N5551BU

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