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2N541分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N541

参数属性

2N541 封装/外壳为TO-111-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

TRANSITRON

封装外壳

TO-111-4,接线柱

文件大小

104.22 Kbytes

页面数量

1

生产厂商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名称

新泽西半导体 新泽西半导体公司

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-6 15:37:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5410

  • 别名:

    2N541三极管、2N541晶体管、2N541晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N5003,2N5005,2N5286,2N5287,3CA10F,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

    β>40

  • 图片代号:

    F-28

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

2N541规格书详情

General Description

This transistor is a NPN silicon triode transistor designed primarily for low level, IF and RF amplifier applications in the Audio & RF frequency range for industrial service.

产品属性

  • 产品编号:

    2N5411

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 200µA, 2mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-111-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-111

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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