2N541分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N541 |
| 参数属性 | 2N541 封装/外壳为TO-111-4，接线柱；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | TRANSITRON |
| 封装外壳 | TO-111-4，接线柱 |
| 文件大小 |
104.22 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 17:00:00 |
| 人工找货 | 2N541价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N541规格书详情
General Description
This transistor is a NPN silicon triode transistor designed primarily for low level, IF and RF amplifier applications in the Audio & RF frequency range for industrial service.
产品属性
- 产品编号：
2N5411
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 200µA， 2mA
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
接线柱安装
- 封装/外壳：
TO-111-4，接线柱
- 供应商器件封装：
TO-111
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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