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2N5401数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5401

参数属性

2N5401 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92

功能描述

High Current PNP Bipolar Transistor, TO-92
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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2N5401规格书详情

描述 Description

This PNP Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

特性 Features

• Pb-Free Packages are Available*

简介

2N5401属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5401晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N5401

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :High Current

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.2

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :150

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :200

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.625

  • Package Type

    :TO-92-3

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