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2N5401中文资料High Current PNP Bipolar Transistor, TO-92数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2N5401

参数属性

2N5401 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 0.6A TO92

功能描述

High Current PNP Bipolar Transistor, TO-92
TRANS PNP 150V 0.6A TO92

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2026-1-23 17:53:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N5401

  • 别名:

    2N5401三极管、2N5401晶体管、2N5401晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    >100MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BF491,BF492,BF493,2SA1221,2SA1222,2SA1319,3CA3F,

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-31

  • vtest:

    160

  • htest:

    100000100

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.625

2N5401规格书详情

描述 Description

This PNP Bipolar Transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.

特性 Features

• Pb-Free Packages are Available*

简介

2N5401属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ONSEMI制造生产的2N5401晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2N5401

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :High Current

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.2

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :150

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :1

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :40

  • hFE Max

    :200

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.625

  • Package Type

    :TO-92-3

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