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2N5330

30 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 150 VOLTS

30 AMP HIGH SPEED NPN TRANSISTOR 150 VOLTS 30 AMP NPN HIGH VOLTAGE/ HIGH ENERGY 200 VOLTS 30 AMP HIGH POWER NPN TRANSISTORS 200 AND 250 VOLTS

文件:257.98 Kbytes 页数:2 Pages

SSDI

2N5330

NPN POWER TRANSISTORS

GEOMETRY 511 ● IC to 30 Amp ● Fast Switching

文件:179.66 Kbytes 页数:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

2N5330

PNP Transistor

Microchip

微芯科技

2N5330

Package:TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5330

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    特殊封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    30A

  • 最大工作频率:

    >80MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    3DK208C,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    F-28

  • vtest:

    150

  • htest:

    80000100

  • atest:

    30

  • wtest:

    80

产品属性

  • 产品编号:

    2N5330

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 2mA, 10mA

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    TO-211MA,TO-210AC,TO-61-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    TO-61

  • 描述:

    POWER BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
MICROSEMI/美高森美
专业模块
MODULE
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模块原装主营-可开原型号增税票
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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更多2N5330供应商 更新时间2026-10-21 22:25:00