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2N5339U3

NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

文件:103.42 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:15.53 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5339X

NPN SILICON TRANSISTORS

文件:27.16 Kbytes 页数:2 Pages

SEME-LAB

2N5331

Trans GP BJT NPN 90V 30A 3-Pin TO-63

NJS

NJS

2N5333

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N5333

PNP Transistor

Microchip

微芯科技

2N5331

Package:TO-211MB,TO-63-4,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

2N5333

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 80V 2A TO5

MICROCHIP

微芯科技

2N5334

Package:TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:POWER BJT

MICROCHIP

微芯科技

晶体管资料

  • 型号:

    2N5339

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT33,BFT34,BUX34,BUY80,2N4895,2N4896,2N4897,3DK12B,

  • 最大耗散功率:

    6W

  • 放大倍数:

    β>60

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    6

产品属性

  • 产品编号:

    2N5339

  • 制造商:

    Solid State Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    30MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AA,TO-5-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-5

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TO5

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更多2N533供应商 更新时间2026-3-11 9:02:00