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2N5232A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N5232A

参数属性

2N5232A 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

功能描述

Planar epitaxial passivated NPN silicon transistor. 50V, 100mA.

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

GESS GE Solid State

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2N5232A PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    125mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    30nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 0.1A TO-92

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