2N5190数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N5190 |
| 参数属性 | 2N5190 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 4A TO126 |
| 功能描述 | 4.0 A, 40 V NPN Bipolar Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 18:39:00 |
| 人工找货 | 2N5190价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N5190规格书详情
描述 Description
The Power 4 A, 80 V Bipolar NPN Transistors is for use in power amplifier and switching circuits. This transistor has excellent safe area limits and is a complement to PNP 2N5194, 2N5195
特性 Features
• Pb-Free Packages are Available
简介
2N5190属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N5190晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2N5190
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.6
- IC Cont. (A)
：4
- VCEO Min (V)
：40
- VCBO (V)
：40
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：-
- VBE(on) (V)
：1.2
- hFE Min
：25
- hFE Max
：100
- fT Min (MHz)
：2
- PTM Max (W)
：40
- Package Type
：TO-225-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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