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2N5152U3中文资料Transistor GP BJT PNP 3-Pin 80V, 2A, 1000mW Case U-3 Tray数据手册Microchip规格书

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厂商型号

2N5152U3

参数属性

2N5152U3 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Transistor GP BJT PNP 3-Pin 80V, 2A, 1000mW Case U-3 Tray
POWER BJT

封装外壳

3-SMD,无引线

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 15:01:00

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2N5152U3规格书详情

描述 Description

This family of 2N5152 and 2N5154 silicon PNP transistors are military Radiation Hardness Assurance qualified up to a JANSF level for high-reliability applications. These transistors are available in a TO-205AA (TO-5), a TO-205AD (TO-39) and a U3 surfacemount package. Microchip also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.

特性 Features

JEDEC registered 2N5152 and 2N5154.JANHC, JANKC, JAN, JANTX, JANTXV and JANS RHA qualifications are available per MIL-PRF-19500/544
High frequency operation
Lightweight
High-speed power-switching applications
High-reliability applications
Available in TO-02-5AA (TO-5), TO-205AD (TO-39) and surfacemount U3 packages

简介

2N5152U3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N5152U3晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    2N5152U3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/544

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 2.5A,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    U3(SMD-0.5)

  • 描述:

    POWER BJT

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