2N5031分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	2N5031
参数属性	2N5031 封装/外壳为TO-206AF，TO-72-4 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
功能描述	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
封装外壳	TO-206AF，TO-72-4 金属罐
文件大小	83.37 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	MICROSEMI
中文名称	美高森美
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2026-2-9 13:01:00
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2N5031规格书详情

2N5031属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的2N5031晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

特性 Features

· Silicon NPN, TO-72 packaged VHF/UHF Transistor

· Low Noise, NF = 4.5 dB (max) @ 200 MHz

· High Current-Gain-Bandwidth Product 1.4 Ghz (typ) @ 10 mAdc

· Characterized with S-Parameters

产品属性

产品编号：
2N5031
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
400MHz
增益：
12dB @ 400MHz
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1mA，6V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20mA
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-206AF，TO-72-4 金属罐
供应商器件封装：
TO-72
描述：
RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72

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