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2N5015S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N5015S
厂商型号

2N5015S

参数属性

2N5015S 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 1000V 0.2A TO39

功能描述

NPN SILICON TRANSISTOR
TRANS NPN 1000V 0.2A TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

60.57 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 18:05:00

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2N5015S规格书详情

2N5015S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美高森美公司制造生产的2N5015S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N5015S

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/727

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 5mA,20mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 20mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39(TO-205AD)

  • 描述:

    TRANS NPN 1000V 0.2A TO39

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