2N5015S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2N5015S |
参数属性 | 2N5015S 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
功能描述 | NPN SILICON TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
文件大小 |
60.57 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-2 18:05:00 |
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2N5015S规格书详情
2N5015S属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美高森美公司制造生产的2N5015S晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
2N5015S
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/727
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.8V @ 5mA,20mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 20mA,10V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装:
TO-39(TO-205AD)
- 描述:
TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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