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2N5003V数据手册Galaxy中文资料规格书

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厂商型号

2N5003V

功能描述

50V, Dual N Channel, Small Signal MOSFETs

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-7 19:45:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N5003V

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Configuration

    :Dual

  • Channel Polarity

    :N

  • ESD

    :Y

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • PD(W)Max.

    :0.25

  • V(BR)DSS(V)Min.

    :50

  • VGS(V)Max.

    :±20

  • ID(A)Max.

    :0.3

  • IGSS(uA)Max.

    :±10

  • VGS(th)(V)Max.

    :1

  • RDS(on)(mΩ)@10VTyp.

    :1100

  • RDS(on)(mΩ)@10VMax.

    :1500

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VTyp.

    :1200

  • RDS(on)(mΩ)@4.5VMax.

    :2500

  • RDS(on)(mΩ)@2.5VTyp.

    :1600

  • RDS(on)(mΩ)@2.5VMax.

    :2900

  • RDS(on)(mΩ)@1.8VTyp.

    :2800

  • RDS(on)(mΩ)@1.8VMax.

    :4000

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :小信号MOSFETs

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