These medium−power, high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications.

Features

• Pb−Free Package is Available**

• Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A

• Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction,

PD = 30 W @ TC = 25°C

• Excellent Safe Operating Area

• Gain Specified to IC = 1.0 A

• Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923

2N4919G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的2N4919G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。