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2N4427分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N4427

参数属性

2N4427 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

245.26 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 14:41:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N4427

  • 别名:

    2N4427三极管、2N4427晶体管、2N4427晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.4A

  • 最大工作频率:

    400MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFR98,BFS10,BFS22,BFS50,BFX33,BLW16,BLY61,MRF515,MRF629,2N3948,3DA105B,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    40

  • htest:

    400000000

  • atest:

    0.4

  • wtest:

    1

2N4427规格书详情

2N4427属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的2N4427晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION:

Silicon NPN transistor, designed for VHF and UHF equipment. Applications include amplifier; pre-driver, driver, and output stages. Also suitable for oscillator and frequency-multiplier functions.

特性 Features

● Silicon NPN, To-39 packaged VHF/UHF Transistor

● 1 Watt Minimum Power Output @ 175 MHz

● 500 MHz Current-Gain Bandwidth Product @ 50mA

● Power Gain, GPE = 10dB (Min) @ 175 MHz

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2N4427

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    40V

  • 频率 - 跃迁:

    500MHz

  • 增益:

    10dB @ 175MHz

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 100mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    400mA

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-39

  • 描述:

    RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39

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