2N4348分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N4348 |
| 参数属性 | 2N4348 包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | Hometaxial-Base, High-Current Silicon N-P-N Transistors |
| 文件大小 |
88.97 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 15:01:00 |
| 人工找货 | 2N4348价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N4348规格书详情
Rugged High Voltage Devices for Applications in Industrial and Commercial Equipment
These typei are hometaxial-b»se silicon n-p-n transition intended for a wide variety of high-voltage high current applications. Typical applications for these transistors include power-switching circuits, audio amplifiers, series-and shunt-regulator driver and output stages, dc-to-dc converters, inverters, and solenoid (hammeO/relay driver service:
These devices employ the popular JEDEC TO 3 package; they differ in maximum ratings for voltage, current, and power.
Features:
• High dissipation capability -
120 W I2N4348), 150 W (2N3773), 250 W (2N6269)
• 5 A specification forhFE, VfjE. & VCE (2N4348)
• 8-A specification for
hFE, VBE. & VcE(Mt) (2N3773. 2N6259)
• VCEX -
140 V min I2N4348). 160 V min (2N3773)
170 V min (2N6259)
• Lowsaturation voltaga with high beta
产品属性
- 产品编号：
2N4348
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 描述：
POWER BJT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CALOGIC |
2447 |
SMD |
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