2N4339分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N4339 |
| 参数属性 | 2N4339 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA |
| 功能描述 | N-CHANNEL JFETS |
| 封装外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 文件大小 |
366.67 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 22:30:00 |
| 人工找货 | 2N4339价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N4339规格书详情
DESCRIPTION
The 2N4338/4339/4340/4341 n-channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages at low- to mid-frequencies. Low cut-off voltages accommodate low-level power supplies and low leakage for improved system accuracy.
The TO-206AA (TO-18) package is hermetically sealed and suitable for military processing (see Military Information). For similar products in TO-226AA (TO-92) and TO-236 (SOT-23) packages, see the J/SST201 series data sheet.
FEATURES
● Low Cutoff Voltage: 2N4338 <1 V
● High Input Impedance
● Very Low Noise
● High Gain: AV = 80 @ 20 μA
APPLICATIONS
● High-Gain, Low-Noise Amplifiers
● Low-Current, Low-Voltage Battery-Powered Amplifiers
● Infrared Detector Amplifiers
● Ultrahigh Input Impedance Pre-Amplifiers
BENEFITS
● Full Performance from Low-Voltage Power Supply: Down to 1 V
● Low Signal Loss/System Error
● High System Sensitivity
● High-Quality Low-Level Signal Amplification
产品属性
- 产品编号：
2N4339
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
7pF @ 15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-206AA（TO-18）
- 描述：
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
CAN3 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | |||
MOT |
24+ |
CAN3 |
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询价 | |||
SILICONIX |
23+ |
QFP120L |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
N/A |
24+ |
N/A |
8000 |
原装现货 |
询价 | ||
CENTRAL |
23+ |
原厂原包 |
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Vishay Siliconix |
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TO-206AA(TO-18) |
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SILICONIX |
24+ |
TO-18 |
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SILICONIX |
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Vishay |
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MOT |
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