2N4339分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N4339 |
| 参数属性 | 2N4339 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA |
| 功能描述 | N-Channel JFETs |
| 封装外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 文件大小 |
56.49 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 14:31:00 |
| 人工找货 | 2N4339价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N4339规格书详情
2N4339属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由威世科技半导体制造生产的2N4339晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
DESCRIPTION
The 2N4338/4339/4340/4341 n-channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages at low- to mid-frequencies. Low cut-off voltages accommodate low-level power supplies and low leakage for improved system accuracy.
The TO-206AA (TO-18) package is hermetically sealed and suitable for military processing (see Military Information). For similar products in TO-226AA (TO-92) and TO-236 (SOT-23) packages, see the J/SST201 series data sheet.
FEATURES
● Low Cutoff Voltage: 2N4338 <1 V
● High Input Impedance
● Very Low Noise
● High Gain: AV = 80 @ 20 μA
APPLICATIONS
● High-Gain, Low-Noise Amplifiers
● Low-Current, Low-Voltage Battery-Powered Amplifiers
● Infrared Detector Amplifiers
● Ultrahigh Input Impedance Pre-Amplifiers
BENEFITS
● Full Performance from Low-Voltage Power Supply: Down to 1 V
● Low Signal Loss/System Error
● High System Sensitivity
● High-Quality Low-Level Signal Amplification
产品属性
更多- 产品编号：
2N4339
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
7pF @ 15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-206AA（TO-18）
- 描述：
MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
CAN3 |
856 |
询价 | |||
SILICONIX |
24+ |
TO-18 |
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Vishay |
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SILICONIX |
专业铁帽 |
CAN3 |
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MOT |
24+ |
CAN3 |
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