2N426中文资料PDF规格书
![2N426](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
厂商型号 |
2N426 |
参数属性 | 2N426 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.03A UB |
功能描述 | alloy-junction germanium transistors |
文件大小 |
267.79 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | List of Unclassifed Manufacturers |
企业简称 |
ETC1【etc未分类制造商】 |
中文名称 | 未分类制造商官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-17 18:56:00 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
2N426三极管、2N426晶体管、2N426晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Ge-PNP
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
30V
- 最大电流允许值:
0.4A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1303,3AX55B,
- 最大耗散功率:
0.15W
- 放大倍数:
β>30
- 图片代号:
D-9
- vtest:
30
- htest:
999900
- atest:
.4
- wtest:
.15
2N426规格书详情
[INTEX/ SEMITRONICS CORP]
alloy-junction germanium transistors
产品属性
- 产品编号:
2N4261UB
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
350mV @ 1mA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 10mA,1V
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-SMD,无引线
- 供应商器件封装:
UB
- 描述:
TRANS PNP 15V 0.03A UB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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