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2N426中文资料PDF规格书

2N426
厂商型号

2N426

参数属性

2N426 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.03A UB

功能描述

GE PNP LO-PWR BJT

文件大小

80.27 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 10:08:00

晶体管资料

  • 型号:

    2N426

  • 别名:

    2N426三极管、2N426晶体管、2N426晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    ASY26,ASY27,ASY76,ASY77,2N1303,3AX55B,

  • 最大耗散功率:

    0.15W

  • 放大倍数:

    β>30

  • 图片代号:

    D-9

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    .4

  • wtest:

    .15

2N426规格书详情

Description: Ge PNP Lo-Pwr BJT

产品属性

  • 产品编号:

    2N4261UB

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.03A UB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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