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2N4235分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

2N4235
厂商型号

2N4235

参数属性

2N4235 封装/外壳为TO-205AD,TO-39-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 1A TO205AD

功能描述

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

封装外壳

TO-205AD,TO-39-3 金属罐

文件大小

79.21 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-15 22:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N4235

  • 别名:

    2N4235三极管、2N4235晶体管、2N4235晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    >3MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BFT35,BFT36,BFT37,BSS46,2N6190,2N6191,2N6192,2N6193,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-62

  • vtest:

    60

  • htest:

    3000100

  • atest:

    3

  • wtest:

    1

2N4235规格书详情

NPN POWER AMPLIFIER SILICON TRANSISTOR

产品属性

  • 产品编号:

    2N4235

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 100mA,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-205AD,TO-39-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-205AD

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A TO205AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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