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2N4172中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

2N4172
厂商型号

2N4172

功能描述

SCR, V(DRM) = 400V TO 499.9V

文件大小

131.5 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-16 16:30:00

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2N4172规格书详情

Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Trlode Thyristors

and military applications. Offered In a choice of space-saving, economical packages for mounting versatility.

• Uniform Low-Level Noise-Immune Gate Triggering — IGT = 10 mA (Typ) @ TC = 25°C

• Low Forward On Voltage — VT - 1 V (Typ) @ 5 Amp @ 25°C

• High Surge-Current Capability — ITSM = 100 Amp Peak

• Shorted Emitter Construction

产品属性

  • 型号:

    2N4172

  • 制造商:

    Solid State Devices Inc(SSDI)

  • 功能描述:

    TO 64 8 Amp Scr

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOT
24+
TO-3
10000
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ST
23+
CAN
16900
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原厂封装
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原装现货
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24+
TO-64
100
原装现货假一罚十
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