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2N3960UB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N3960UB

参数属性

2N3960UB 封装/外壳为3-SMD,无引线;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 12V UB

功能描述

NPN Silicon Switching 12V, 0.03A

封装外壳

3-SMD,无引线

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 11:00:00

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2N3960UB规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN silicon, switching 2N3960 and 2N3960UB transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV, and JANS) are provided for each device type and two levels for unencapsulated die as specified in MIL-PRF-19500/399. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for each unencapsulated device type. RHA level designators “M”, “D”, “P“, “L”, “R”, “F”, “G”, and “H” are appended to the device prefix to identify devices which have passed RHA requirements. The device packages for the encapsulated device types are as follows: (2N3960) (TO-18) and surfacemount (UB). The dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/399.

技术参数

  • 产品编号:

    2N3960UB

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 3mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-SMD,无引线

  • 供应商器件封装:

    UB

  • 描述:

    TRANS NPN 12V UB

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