2N3878分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3878 |
| 参数属性 | 2N3878 封装/外壳为TO-213AA，TO-66-2；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 7A TO66 |
| 功能描述 | HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 文件大小 |
413.1 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | GESS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 18:50:00 |
| 人工找货 | 2N3878价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N3878三极管、2N3878晶体管、2N3878晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
120V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
>40MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BD193,BDV10,BDV11,BDV12,BDX22,BDY79,2N5202,2N6264,2SD722(A),2SD722(B),3DA27B,
- 最大耗散功率：
35W
- 放大倍数：
- 图片代号：
E-44
- vtest：
120
- htest：
40000100
- atest：
4
- wtest：
35
2N3878规格书详情
High-Speed Epitaxial-Collector Silicon N-P-N Planar Transistors
For High-Speed Switching and Linear-Amplifier Applications
产品属性
- 产品编号：
2N3878
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
- 供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
- 描述：
TRANS NPN 50V 7A TO66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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