2N3866A 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MICROSEMI/美高森美

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厂家型号：
2N3866A
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
MICROSEMI
库存数量：
58000
产品封装：
TO39
生产批号：
2023+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-30 14:29:00

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详细信息
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原厂料号：2N3866A品牌：MICROSEMI

进口原装,现货热卖

2N3866A是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICROSEMI/Microsemi Corporation生产封装TO39/TO-205AD，TO-39-3 金属罐的2N3866A晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
2N3866A
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美半导体公司
内容页数：
5 页
文件大小：
331.25 kb
资料说明：
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

产品属性

类型
描述
产品编号：
2N3866A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
30V
频率 - 跃迁：
400MHz
功率 - 最大值：
1W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
400mA
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39
描述：
RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39

供应商

企业：
上海磐岳电子有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
张小姐/王小姐/杨先生/张先生
手机：
17765162796
询价：
电话：
021-60341766
地址：
上海市闵行区浦江高科技园新骏环路115号3号楼华东智汇港B楼5楼B521室

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