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2N3791

SILICON PNP POWER TRANSISTORS

文件:494.36 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

2N3791

Silicon PNP Power Transistors

文件:113.68 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2N3791

PNP Silicon High-Power -60V to -80V, -10A

This specification covers the performance requirements for power PNP silicon 2N3791 and 2N3792 transistors. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/379. The device packages for the encapsulated device

Microchip

微芯科技

2N3791

Package:TO-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 10A TO3

MICROCHIP

微芯科技

2N3791SMD

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications Bipolar PNP Device. VCEO = 60V IC = 10A

文件:14.67 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

2N3791SMD

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

2N3791 PBFREE

Package:TO-204AA,TO-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 10A TO-3

CENTRAL

晶体管资料

  • 型号:

    2N3791

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    >4MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BD546A,BD316,BDX18,BD250A,2N6029,2N6030,2N6031,2N6229,2N6230,2N6231,2N6246,3CD15C,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>50

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    60

  • htest:

    4000100

  • atest:

    10

  • wtest:

    150

产品属性

  • 产品编号:

    2N3791

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 2A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 3A,2V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3(TO-204AA)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 10A TO3

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更多2N3791供应商 更新时间2026-4-21 16:42:00