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2N3779数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N3779

参数属性

2N3779 封装/外壳为TO-205AA,TO-5-3 金属罐;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-5

封装外壳

TO-205AA,TO-5-3 金属罐

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N3779

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :5000mW

  • Maximum DC Collector Current

    :1A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :60V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.2@0.04mA@0.2mAV

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

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