2N3765U4中文资料PNP Transistor数据手册Microchip规格书
2N3765U4规格书详情
简介
2N3765U4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2N3765U4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2N3765U4
- 制造商:
Microchip Technology
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/396
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
900mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 500mA,1V
- 工作温度:
-55°C ~ 200°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
3-SMD,无引线
- 供应商器件封装:
U4
- 描述:
POWER BJT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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