2N3762分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3762 |
| 参数属性 | 2N3762 封装/外壳为TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 40V 1.5A TO39 |
| 功能描述 | Small Signal Transistors |
| 封装外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 |
| 文件大小 |
22.37 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | CENTRAL |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-6 9:02:00 |
| 人工找货 | 2N3762价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N3762三极管、2N3762晶体管、2N3762晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
开关管 （S）_TR
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
40V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
>180MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSV82,BSW40,2N4405,2SA799,3CK10E,
- 最大耗散功率：
1W
- 放大倍数：
- 图片代号：
C-40
- vtest：
40
- htest：
180000100
- atest：
1.5
- wtest：
1
2N3762规格书详情
Small Signal Transistors TO-39 Case
产品属性
- 产品编号：
2N3762
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
900mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 1A，1.5V
- 工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
- 描述：
TRANS PNP 40V 1.5A TO39
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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