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2N3749数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

2N3749

参数属性

2N3749 封装/外壳为TO-111-4,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 5A TO111

功能描述

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

封装外壳

TO-111-4,接线柱

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:36:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :2N3749

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Power Dissipation

    :2000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :8V

  • Maximum DC Collector Current

    :5A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :80V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.25@0.1A@1A1.5@0.5A@5A

  • Maximum Collector Base Voltage

    :110V

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Category

    :Bipolar Power

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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