2N3703数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2N3703 |
| 参数属性 | 2N3703 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 22:50:00 |
| 人工找货 | 2N3703价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3703规格书详情
描述 Description
PNP General Purpose Amplifier
• This device designed for use as general purpose amplifier and
switches requiring collector currents to 300mA.
• Sourced from Process 66.
简介
2N3703属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N3703晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N3703
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
SOT23-5 |
30000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
24+/25+ |
68 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||||
ON |
1738+ |
TO-92 |
8529 |
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询价 | ||
FCS |
TO92 |
48 |
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2N3704 |
349 |
349 |
询价 | ||||
FSC |
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FAI |
24+ |
20000 |
询价 | ||||
JXK/杰信科 |
23+ |
TO-92 |
2002151 |
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24+ |
TO-92 |
43200 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
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询价 |
