2N3700分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2N3700 |
| 参数属性 | 2N3700 封装/外壳为TO-206AA，TO-18-3 金属罐；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A TO18 |
| 功能描述 | NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 文件大小 |
261.529 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | CDIL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 8:36:00 |
| 人工找货 | 2N3700价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
2N3700三极管、2N3700晶体管、2N3700晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
140V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
200MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍数：
β>100
- 图片代号：
D-8
- vtest：
140
- htest：
200000000
- atest：
1
- wtest：
0.5
2N3700规格书详情
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
General purpose amplifier
产品属性
- 产品编号：
2N3700
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-206AA，TO-18-3 金属罐
- 供应商器件封装：
TO-18
- 描述：
TRANS NPN 80V 1A TO18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ES |
2223+ |
CAN3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
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ST |
25+ |
TO-18 |
10000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
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原厂原包装 |
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990000 |
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