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2N3700分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2N3700

参数属性

2N3700 封装/外壳为TO-206AA,TO-18-3 金属罐;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO18

功能描述

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封装外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

文件大小

261.529 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

CDIL

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更新时间

2026-2-8 23:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2N3700

  • 别名:

    2N3700三极管、2N3700晶体管、2N3700晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    通用型 (Uni)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    200MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSS43,BSS59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    D-8

  • vtest:

    140

  • htest:

    200000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.5

2N3700规格书详情

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General purpose amplifier

产品属性

  • 产品编号:

    2N3700

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AA,TO-18-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-18

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 1A TO18

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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