2N3637UB中文资料PNP Transistor数据手册Microchip规格书
| 厂商型号 |
2N3637UB |
| 参数属性 | 2N3637UB 封装/外壳为3-SMD，无引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 175V 1A UB |
| 功能描述 | PNP Transistor |
| 封装外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 制造商 | Microchip Microchip Technology |
| 中文名称 | 微芯科技 美国微芯科技公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:38:00 |
| 人工找货 | 2N3637UB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2N3637UB规格书详情
简介
2N3637UB属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2N3637UB晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
2N3637UB
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
UB
- 描述：
TRANS PNP 175V 1A UB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
SMD3 |
11190 |
原装正品 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
QQ咨询 |
SMD3 |
943 |
全新原装 研究所指定供货商 |
询价 | ||
KSL |
23+ |
3880 |
正品原装货价格低 |
询价 | |||
Microchip |
24+ |
原封装 |
44520 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
197 |
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询价 | ||
24+ |
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MSC |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
询价 | ||
MSCI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
UPI |
23+ |
CAN3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MSC |
234 |
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询价 |
